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背景介紹：
排列的多壁碳納米管最常用氣相沉積法生長。這種方法具有嚴重的缺陷，因為納米管只能由于發生生長的高溫而在某些材料上生長。目前的技術不允許在任何類型的基板上生長圖案化的多層碳納米管。雖然已經提出了其他方法，但是這些技術僅改善機械接觸，不降低觸點的電阻和熱阻。電阻和熱阻是基于垂直幾何形狀的應用的關鍵參數，例如冷場發射器，用于化學和生物傳感器的納米電極陣列和垂直納米晶體管。目前迫切需要一種用于傳送具有某種圖案的定向碳納米管陣列的方法和裝置，同時允許改善的熱和電特性。
新技術特點：
本發明在高電場下、高真空中條件下，傳送排列的多壁碳納米管的陣列和圖案化陣列(從一個表面到另一個表面)。在高真空中的物質傳送發生在宏觀距離上，并且表面上的后續沉積仍然保持圖案和沉積，同時仍然保持圖案和取向，無需使用掩模和預先圖案化的基板。這允許制造更加尖銳和精確的圖案或在陽極上產生新的圖案，從而獲得清晰的圖案。
獨特優勢：
?改進的性能-允許更好的機械接觸，并且還降低觸點的電阻和熱阻。
?較低的溫度-可以在比氣相沉積法更低的溫度下進行。
?可以產生精準精確圖案-保留碳納米管的圖案和方向，無需使用掩模和預先圖案化的基板。
廣泛的用途：
?冷場發射器
?化學傳感器
?生物傳感器
?垂直納米晶體管
材料科學,生物醫用 500萬以上
化學化工
材料科學 面議
材料科學,化學化工 面議
材料科學 面議
